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  • 量產(chǎn)用刻蝕設(shè)備NE-5700/NE-7800
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    NE-5700/NE-7800

    量產(chǎn)用刻蝕設(shè)備NE-5700/NE-7800是可以對應(yīng)單腔及多腔、重視性價比擁有擴展性的刻蝕設(shè)備。

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  • 枚葉式PECVD設(shè)備CME-200E/400
    枚葉式PECVD設(shè)備CME-200E/400

    CME-200E/400

    枚葉式PE-CVD設(shè)備CME-200E/400是最適用于Si系絕緣膜、barrier膜等成膜的量產(chǎn)用PECVD設(shè)備。

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  • 可對應(yīng)低速高濃度的離子注入設(shè)備SOPHI-30
    可對應(yīng)低速高濃度的離子注入設(shè)備SOPHI-30

    低加速、高濃度對應(yīng)的離子注入設(shè)備。

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  • 高密度等離子刻蝕裝置ULHITETM NE-7800H
    高密度等離子刻蝕裝置ULHITETM NE-7800H

    NE-7800系列

    高密度等離子客戶裝置ULHITE NE-7800H是對應(yīng)刻蝕FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高難度刻蝕材料（強電介質(zhì)層、貴金屬、磁性膜等）的Multi-Chamber型低壓高密度等離子刻蝕設(shè)備。

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  • 高能對應(yīng)離子注入設(shè)備SOPHI-400
    高能對應(yīng)離子注入設(shè)備SOPHI-400

    SOPHI-400

    最大可對應(yīng)至2400keV的高能離子注入裝置。

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  • 研究開發(fā)用中電流離子注入設(shè)備IMX-3500
    研究開發(fā)用中電流離子注入設(shè)備IMX-3500

    IMX-3500

    中電流離子注入裝置IMX-3500為最大能量200keV、對應(yīng)最大晶圓尺寸8 inch的離子注入裝置，適用于大學等機構(gòu)的研究開發(fā)。

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