• 27.12MHz高密度等離子制程
• SiH4系:SiO2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS系:可對應(yīng)SiO2膜
• 以NF3+Ar Plasma實現(xiàn)腔體清潔功能
• 可對應(yīng)有機EL(OLED)的低溫成膜用Heater
• 使用Tray最大可搬送□200mm(CME-200E)的基板尺寸(CME-400:可對應(yīng)300×400)
• 功率器件
• LED、LD、高速Device等化合物相關(guān)
• 有機EL(OLED)開發(fā)
• 太陽電池開發(fā)
• MEMS