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• 和傳統(tǒng)的工藝溫度相比,每個unit的驅(qū)動系統(tǒng)可以在更高的溫度下運行、開發(fā)真空搬送機(jī)械手來實現(xiàn)搬送系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
• 通過改善反應(yīng)室的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、氣體供給系統(tǒng),達(dá)到長期穩(wěn)定的TEOS(SiO2)膜速率。
• 通過加熱反應(yīng)氣體的通道,在排除設(shè)備中的氣體排出、抑制配管Trap未使用時的配管副生成物的粘附、可以縮短保養(yǎng)時間。
• 可以輕松的完成單獨基板管理,如成膜條件。
• 低溫P-Si、α-Si TFT