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•極端的次世代晶圓工藝必須的 1 x 1016atoms/cm2以上離子注入剝離工藝·PI去除工藝中,可實(shí)現(xiàn)低顆粒工藝。
• 添加F系氣體工藝最適合的腔體構(gòu)成,可對應(yīng)低顆粒需求。因此,從普通PR到離子注入剝離、有機(jī)膜剝離(PI,DFR等)、氧化膜刻蝕等非常廣泛的工藝均可對應(yīng)。
• 采用簡單的設(shè)備構(gòu)成可同時(shí)實(shí)現(xiàn)“卓越的維修性·信賴性”。
• 有彈性的腔體構(gòu)成選擇(μ波、RIE、μ波+RIE),可實(shí)現(xiàn)豐富的搬送路經(jīng)。
• 僅設(shè)定工藝菜單即可切換晶圓尺寸,晶圓尺寸變更非常容易實(shí)現(xiàn)。
• 前道后端工藝的離子注入剝離工藝(1 x 1016atoms/cm2以上)的PI除去
• 添加CF4工藝必要的晶圓工藝(電子部件?LED)
• 芯片級封裝的BUMP工藝
• CCD顏色過濾膜的制造工藝