![]()
在線留言
|
為了提高個人電腦、智能手機等電子設(shè)備的性能,半導(dǎo)體芯片的高集成化技術(shù)備受關(guān)注。不斷追求多功能化、小型化與低成本。但摩爾定律放緩,原有特征尺寸的等比例縮小的原則在未來的集成電路開發(fā)中不再完全適用。像現(xiàn)在這樣的高集成化技術(shù),今后繼續(xù)發(fā)展下去,在技術(shù)方面和成本方面都是很困難的。
在這樣的背景下,在芯片性能提升中,先進封裝技術(shù)將扮演越來越重要的角色,保證質(zhì)量更高的芯片連接以及更低的功耗,關(guān)系到產(chǎn)品的質(zhì)量和競爭力。
ICEPT 2020于2020年8月12日至15日在廣州科學(xué)城會議中心舉行。作為國際上最著名的電子封裝技術(shù)會議之一,會議得到了IEEE- EPS的全力支持和中國電子學(xué)會、中國科協(xié)的高度評價,已成為國際電子封裝領(lǐng)域四大品牌會議之一。
今年,愛發(fā)科集團以『Fabrication of fine patterned structure for high-density Fan-Out Wafer Level Package using dry etching technology』為題,向ICEPT 2020投稿及發(fā)表,獲得了Outstanding Paper Award。在本次報告中,我們報告了此前無法通過干法蝕刻來實現(xiàn)的在重新布線層中的高分子材料中形成微細通孔,以及連接上下器件的連接部分的簡略化制程及相關(guān)工藝技術(shù)。
愛發(fā)科商貿(mào)左超部長代表愛發(fā)科集團在ICEPT2020演講
在封裝領(lǐng)域中,不僅使用諸如Photoresist這種知名度高的樹脂材料,而且還使用諸如以聚酰亞胺為代表的高分子材料和混合了樹脂和二氧化硅顆粒的環(huán)氧封裝材料等各種材料。隨著新材料的出現(xiàn)以及器件結(jié)構(gòu)的微細化和復(fù)雜化,現(xiàn)有工藝(例如濕法蝕刻)無法處理的工藝數(shù)量正在增加。這次報告的內(nèi)容因展示了使用等離子技術(shù)的高密度封裝技術(shù)的未來潛力而受到贊譽。
在開發(fā)新工藝時,我們認為確定業(yè)界是否真正需要該工藝非常重要。為此,有必要從與我們有合作關(guān)系的客戶、設(shè)備制造商、材料制造商和文獻調(diào)查中收集和判斷信息。通過這次在學(xué)術(shù)會議上獲得該獎項,我們能夠證明我們正在開發(fā)世界所需的工藝。接下來,我們將集中精力提高可實現(xiàn)該制程的NA(Asher)系列設(shè)備的完成度。
28 Dec, 2021
25 Nov, 2021
20 Sep, 2021
23 Aug, 2021
28 May, 2021